硅基芯片_第(4)頁-四川梓冠光電科技有限公司

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ZG硅基光延時芯片

更新時間：2024-12-27

型號：ZG

瀏覽量：947

硅基光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
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ZG硅基 7bit 可調光延時芯片

更新時間：2024-12-27

型號：ZG

瀏覽量：1004

硅基 7bit 可調光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產
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硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片

更新時間：2024-12-27

型號：

瀏覽量：1034

硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產
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ZG硅基6 比特光延時芯片

更新時間：2024-12-27

型號：ZG

瀏覽量：945

硅基6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
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ZG硅基單片集成 6 比特光延時芯片

更新時間：2024-12-27

型號：ZG

瀏覽量：928

硅基單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
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ZGSOI芯片可調光濾波器

更新時間：2024-12-27

型號：ZG

瀏覽量：1076

SOI芯片可調光濾波器陣列該產品基于硅基熱調諧微環結構，光濾波器的中心波長和隔離度可調，實現了多通道光濾波器的單片集成，通過特殊設計實現了偏振無關特性，光電封裝，數字化驅動。
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ZG高速光開關SOI芯片

更新時間：2024-12-27

型號：ZG

瀏覽量：1029

高速光開關SOI芯片，該產品基于硅基載流子色散效應實現納秒級高速響應的光路切換，實現了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低
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ZG-VOASOI芯片式高速光衰減器

更新時間：2025-02-17

型號：ZG-VOA

瀏覽量：927

SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應實現高速響應的可調光路衰減，實現多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅動電路一體化光電封裝，數字化驅動，偏振相關性小，衰減范圍大，調節精度高，衰減值穩定，響應時間為納秒級，可在高速、低時延系統中應用。
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