亚洲高清一区二区三区不卡_日韩精品一区二区三区免费视频_欧美日韩一区二区亚洲_亚洲精品无码久久久久_国产精品视频网国产

您好！歡迎訪問四川梓冠光電科技有限公司網站！
全國服務咨詢熱線:

17308159058
0816-2384466

當前位置：首頁 > 產品中心 > 硅基芯片 > 芯片
  • ZGSOI 納秒光開關芯片陣列
    ZGSOI 納秒光開關芯片陣列

    更新時間：2025-02-17

    型號：ZG

    瀏覽量：1712

    SOI 納秒光開關芯片陣列該產品基于硅基載流子色散效應實現納秒級高速響應的光路切換，實現了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低
    了解詳情
  • ZG9bit 可調光延時線芯片 SOI 硅光子
    ZG9bit 可調光延時線芯片 SOI 硅光子

    更新時間：2024-12-28

    型號：ZG

    瀏覽量：1911

    9bit 可調光延時線芯片 SOI 硅光子集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
    了解詳情
  • ZG9bit 可調光延時線芯片 SOI 硅光子技術
    ZG9bit 可調光延時線芯片 SOI 硅光子技術

    更新時間：2024-12-28

    型號：ZG

    瀏覽量：1813

    9bit 可調光延時線芯片 SOI 硅光子技術集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
    了解詳情
  • ZG9bit 可調光延時線芯片
    ZG9bit 可調光延時線芯片

    更新時間：2024-12-28

    型號：ZG

    瀏覽量：1706

    9bit 可調光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
    了解詳情
  • ZG單片集成 9bit 可調光延時線芯片
    ZG單片集成 9bit 可調光延時線芯片

    更新時間：2024-12-28

    型號：ZG

    瀏覽量：1695

    單片集成 9bit 可調光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
    了解詳情
  • ZGSOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片
    ZGSOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片

    更新時間：2024-12-28

    型號：ZG

    瀏覽量：1655

    SOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
    了解詳情
  • ZG硅基單片集成 9bit 可調光時延線芯片
    ZG硅基單片集成 9bit 可調光時延線芯片

    更新時間：2024-12-28

    型號：ZG

    瀏覽量：1861

    硅基單片集成 9bit 可調光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
    了解詳情
  • ZGSOI納秒光開關芯片陣列
    ZGSOI納秒光開關芯片陣列

    更新時間：2025-02-17

    型號：ZG

    瀏覽量：1909

    SOI納秒光開關芯片陣列該產品基于硅基載流子色散效應實現納秒級高速響應的光路切換，實現了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低
    了解詳情
共 36 條記錄，當前 1 / 5 頁  首頁  上一頁  下一頁  末頁  跳轉到第頁 
四川梓冠光電科技有限公司
地址：四川省綿陽市經開區電子制造產業園16棟3樓
郵箱：zgziguan@foxmail.com
傳真：
關注我們
歡迎您關注我們的微信公眾號了解更多信息：
歡迎您關注我們的微信公眾號
了解更多信息