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  • ZG硅基光延時芯片
    ZG硅基光延時芯片

    更新時間：2024-12-27

    型號：ZG

    瀏覽量：945

    硅基光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
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  • ZG硅基 7bit 可調光延時芯片
    ZG硅基 7bit 可調光延時芯片

    更新時間：2024-12-27

    型號：ZG

    瀏覽量：1002

    硅基 7bit 可調光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產
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  • 硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片
    硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片

    更新時間：2024-12-27

    型號：

    瀏覽量：1031

    硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產
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  • ZG硅基6 比特光延時芯片
    ZG硅基6 比特光延時芯片

    更新時間：2024-12-27

    型號：ZG

    瀏覽量：942

    硅基6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
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  • ZG硅基單片集成 6 比特光延時芯片
    ZG硅基單片集成 6 比特光延時芯片

    更新時間：2024-12-27

    型號：ZG

    瀏覽量：925

    硅基單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
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  • ZG-VOASOI芯片式高速光衰減器
    ZG-VOASOI芯片式高速光衰減器

    更新時間：2025-02-17

    型號：ZG-VOA

    瀏覽量：924

    SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應實現高速響應的可調光路衰減，實現多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅動電路一體化光電封裝，數字化驅動，偏振相關性小，衰減范圍大，調節精度高，衰減值穩定，響應時間為納秒級，可在高速、低時延系統中應用。
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  • ZGSOI芯片光電探測器集成度高
    ZGSOI芯片光電探測器集成度高

    更新時間：2024-12-27

    型號：ZG

    瀏覽量：989

    SOI芯片光電探測器集成度高，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
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  • ZGSOI芯片光電探測器
    ZGSOI芯片光電探測器

    更新時間：2024-12-27

    型號：ZG

    瀏覽量：1239

    SOI芯片光電探測器陣列，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
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